一、鈦靶材的基本性能要求

       ①純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，因?yàn)榘胁牡募兌葘?duì)薄膜的性能影響很大。不過(guò)在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um或0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿(mǎn)足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對(duì)靶材純度則要求99.999%甚zhi99.9999%。

       ②雜質(zhì)含量靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對(duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對(duì)堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。

       ③密度為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強(qiáng)度使靶材能更好地承受濺射過(guò)程中的熱應(yīng)力。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。

       ④晶粒尺寸及晶粒尺寸分布通常靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級(jí)。對(duì)于同一種靶材，晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

二、不同行業(yè)對(duì)鈦靶材的純度要求

①集成電路中使用的鈦靶材

       集成電路鈦靶的純度要求主要是大于99.995％，高于非集成電路中所用的純度。 

②平板顯示器中使用的鈦靶材

       平板顯示器包括液晶顯示器，等離子顯示器，電致發(fā)光顯示器和場(chǎng)發(fā)射顯示器。濺射鍍膜技術(shù)通常用于沉積平板顯示器的薄膜。Al，Cu，Ti和Mo是平板顯示器的主要金屬濺射靶材。用于平板顯示器的鈦靶材的純度通常需要大于99.9％。

       鈦?zhàn)鳛樵峡梢酝ㄟ^(guò)幾種方法制成鈦濺射靶材，可廣泛應(yīng)運(yùn)于電子，信息工業(yè)，家庭裝飾，汽車(chē)玻璃制造等高科技領(lǐng)域。在這些行業(yè)中，鈦靶材主要用于鍍膜集成電路，平板等部件的表面面板顯示器，或作為裝飾及玻璃鍍膜等。